[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A25-2] MBE法で形成したBaSi_２エピタキシャル膜/酸化膜界面の欠陥準位評価

〇武内 大樹¹、Du Weijie¹、高部 涼太¹、都甲 薫¹、原 康祐²、宇佐美 徳隆^{3, 4}、末益 崇^{1, 4} (1.筑波大学院, 2.山梨大学, 3.名古屋大学, 4.JST-CREST)

キーワード：BaSi2、界面、欠陥準位