2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

[14a-B1-1~9] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

2015年3月14日(土) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)

11:30 〜 11:45

△ [14a-B1-9] ScAlMgO4(0001)基板上低歪GaN薄膜を用いたInGaN系可視発光ダイオードの試作

〇(D)尾崎 拓也1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)

キーワード：窒化ガリウムインジウム、ScAlMgO4、発光ダイオード