[14a-D1-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-D1-5] r 面サファイア基板を用いたWO₃ 薄膜のMBE 成長

〇松尾 昌幸¹、村山 喬之¹、原田 義之¹、小池 一歩¹、佐々 誠彦¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大ナノ材研センタ, 2.リガク X線研究所)

キーワード：三酸化タングステン、分子線エピタキシー