[14a-D1-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-D1-6] ゾル‐ゲル法により成長したNiOエピタキシャル膜の格子歪

〇國分 義弘¹、目黒 康裕¹、中込 真二¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ニッケル、ゾル‐ゲル法、格子歪