[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-D10-5] 抵抗変化メモリの低抵抗状態における残留抵抗の起源

〇(D)森山 拓洋^{1, 2}、榎本 雄太郎¹、岸田 悟^{1, 2}、木下 健太郎^{1, 2} (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

キーワード：ReRAM、残留抵抗、フィラメント