Correlation study on heating profile and carbon contamination during the melting process of Czochralski silicon crystal growth

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

2015年3月14日(土) 10:00 〜 12:00 D13 (16-502)

10:45 〜 11:00

〇(P)Xin Liu¹, Bing Gao¹, Satoshi Nakano¹, Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ.)

キーワード：Czochralski method,Impurities,Computer simulation