2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-D4-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年3月14日(土) 09:00 〜 11:30 D4 (16-204)

11:15 〜 11:30

▲ [14a-D4-10] Optimization of Growth Temperature of GaAs Nucleation Layer in InAs/GaAs Quantum Dots on Ge/Si substrate by MOCVD

〇Mohan Rajesh1, Masao Nishioka1, Yasuhiko Arakawa1 (1.NanoQuine, The Univ. of Tokyo)

キーワード：Quantum Dots,Ge/Si substrate,MOCVD