[14a-D4-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-D4-4] GaAs傾斜基板上InGaP量子細線状構造の自己形成における積層数の影響

〇満原 学¹、渡邉 則之¹、横山 春喜¹、重川 直輝² (1.日本電信電話（株）, 2.大阪市大)

キーワード：半導体、量子細線、InGaP