2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-D4-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年3月14日(土) 09:00 〜 11:30 D4 (16-204)

10:00 〜 10:15

[14a-D4-5] GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットの広帯域発光波長制御

松村 拓哉1、〇海津 利行1, 2、喜多 隆1 (1.神戸大院工, 2.神戸大研究基盤セ)

キーワード:量子ドット、分子線エピタキシ