2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-A25-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月14日(土) 13:00 〜 14:00 A25 (6A-218)

13:30 〜 13:45

▼ [14p-A25-3] Fabrication of Ba(Si,C)2 films on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

〇(B)JAEJUN LEE1, HIROKI TAKEUCHI2, RYOTA TAKABE2, KAORU TOKO1, 2, TAKASHI SUEMASU1, 2, 3 (1.Coll. of engineering sciences, Univ. of Tsukuba, 2.Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 3.JST-CREST)

キーワード：photovoltaics,silicide