2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

[14p-B1-1~6] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

2015年3月14日(土) 12:45 〜 15:00 B1 (6B-101)

14:00 〜 14:15

[14p-B1-4] 時間分解PL測定を用いたAlGaN/AlNヘテロ構造の臨界膜厚評価

〇(D)市川 修平1、岩田 佳也1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)

キーワード：AlGaN、臨界膜厚、時間分解PL