[14p-D10-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-D10-6] NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後におけるコンダクタンスの温度依存性

〇篠倉 弘樹¹、西 佑介¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、酸化ニッケル、量子ポイントコンタクト