[14p-D4-1~5] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-D4-3] InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(10¹² cm^-2)の自己形成(3)

〇(M1)鮫島 一樹¹、山口 浩一¹ (1.電通大)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、III-V族半導体