[14p-D7-1~6] 17.4 デバイス応用

[14p-D7-4] HfO₂絶縁膜を用いたMoS₂ FETにおける実効移動度の評価

〇二之宮 成樹¹、森 貴洋²、内田 紀行²、久保 利隆²、渡辺 英一郎³、津谷 大樹³、森山 悟士³、田中 正俊¹、安藤 淳² (1.横国大院工, 2.産総研, 3.物材機構)

キーワード：MoS2、電界効果トランジスタ、遷移金属ダイカルコゲナイド