[14p-D7-1~6] 17.4 デバイス応用

[14p-D7-6] 薄膜HfS₂ FET

〇金澤 徹¹、雨宮 智宏^{1, 3}、石川 篤^{2, 3}、鶴田 健二²、田中 拓男^{3, 4}、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工, 2.岡山大院自然, 3.理研, 4.北大電子研)

キーワード：半導体、遷移金属カルコゲナイド、電界効果トランジスタ