16:00 〜 16:15 [16p-B1-10] フッ素系中性粒子ビームで処理したGaN HEMTエピ表面の分析 〇市川 弘之1、野田 周一2、眞壁 勇夫1、井上 和孝1、肥後 昭男3、寒川 誠二2,3 (1.住友電工伝送デバイス研、2.東北大流体研、3.東北大WPI-AIMR)