17:30 〜 17:45 [15p-A26-8] InP(311)B面上に成長したInAs量子ドットの電気伝導特性 〇和田 直樹1、張 亜1、吉田 健治1、赤羽 浩一2、平川 一彦1,3 (1.東大生研、2.情報通信研究機構、3.東大ナノ量子機構)