13:30 〜 15:30 △ [14p-P6-2] マルチゲートSi単電子トランジスタの特性評価 〇内田 貴史1、福地 厚1、有田 正志1、藤原 聡2、高橋 庸夫1 (1.北大院情報、2.NTT物性基礎研)