09:45 〜 10:00 [16a-A32-3] HfO2パッシベーションによるHfS2 FETの特性改善 〇金澤 徹1、Upadhyaya Vikrant1、雨宮 智宏1,2、石川 篤3,2、鶴田 健二3、田中 拓男2,1、宮本 恭幸1 (1.東工大、2.理研、3.岡大)