11:45 〜 12:00 [14a-B13-9] 石英基板上のInGaAs MOSHEMTの高周波特性 〇久米 英司1、石井 裕之2、服部 浩之2、Chang Wen-Hsin2、小倉 睦郎1、前田 辰郎2 (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ)