13:15 〜 13:30 [14p-A26-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 〇須藤 建瑠1,2、矢板 潤也1,2、岩崎 孝之1,2、波多野 睦子1,2 (1.東京工業大学、2.JST-CREST)