16:15 〜 16:30 [16p-B1-11] AlGaN / GaN HEMT構造における凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減効果の解析 〇(M1)渡部 拓巳1、星井 拓也1、武井 優典1、下田 智裕1、筒井 一生1、齊藤 渉2、角嶋 邦之1、若林 整1、岩井 洋1 (1.東工大工、2.東芝)