11:45 〜 12:00 [16a-C302-11] 窒化したSiC MOSFET に対するチャージポンピング特性の周波数依存性 〇王 緒昆1、岡本 大1、原田 信介2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研)