13:30 〜 15:30 [15p-P3-15] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討~ 電気的接触法による導電性パス生成の差異 ~ 〇(B)肥田 聡太1、山崎 隆浩2、森山 拓洋1、大野 隆央2、吉武 道子2、岸田 悟1,3、木下 健太郎1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)