09:30 〜 11:30 [16a-P5-21] RF-MBE法による低温GaN緩衝層を挿入したAl薄膜上GaN成長検討 〇上原 和樹1、星川 侑也1、尾沼 猛儀1、山口 智広1、本田 徹1 (1.工学院大)