09:00 〜 09:15 △ [16a-B9-1] Siオフ基板上MOVPE成長Geのアニールによる表面ラフネスの低減 〇中尾 亮1,2、山本 剛1、松尾 慎治1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)