09:30 〜 11:30 [14a-P6-20] 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造のインピーダンス解析 〇(M1)高山 留美1、星井 拓也1、中島 昭2、西澤 伸一2、大橋 弘通2、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大工、2.産総研)