13:30 〜 15:30 [14p-P9-13] 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程 〇(M1)高野 修平1,2、牧野 高紘3、原田 信介2、児島 一聡2、土方 泰斗1、大島 武3 (1.埼大理工、2.産総研、3.量研機構)