一般セッション(口頭講演)

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[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[13a-A35-1] WASSR法による蛍光体の合成

〇戸田健司¹、長谷川拓哉¹、兼子達郎¹、金善旭¹、石垣雅¹、上松和義¹、佐藤峰夫¹、工藤嘉昭²、戸田雅子²、小出順子²、Usama Bin Humayoun³、Yoon Dae Ho³ (1.新潟大、2.N-ルミネセンス、3.成均館大学校)

09:15 〜 09:30

[13a-A35-2] 集光炉を用いた蛍光体の溶融合成

〇戸田健司¹、武藤雅¹、長谷川拓哉¹、金善旭¹、石垣雅¹、上松和義¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

09:30 〜 09:45

[13a-A35-3] ZnGa₂O₄ホストの結晶性・酸化度とEu³⁺ドーパントの発光特性

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

09:45 〜 10:00

[13a-A35-4] ハフニウム塩化物系シンチレータの開発とその現状

〇黒澤俊介¹、小玉翔平²、山路晃広²、横田有為¹、大橋雄二²、荒川元孝¹、鎌田圭^2,3、吉川彰^1,2,3 (1.東北大NICHe、2.東北大金研、3.（株)C&A)

10:00 〜 10:15

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce³⁺イオンの4f電子イオン化エネルギー

〇北浦守¹、東純平²、鎌田圭³、石崎学¹、大西彰正¹、原和彦⁴ (1.山形大理、2.佐賀大シンクロ、3.東北大NICHe、4.静岡大電研)

10:30 〜 10:45

△ [13a-A35-6] 発光の有無から見たCe(Ⅲ)含有錯体の発光メカニズム

〇小泉敦也¹、長谷川拓哉¹、上松和義¹、板谷篤司¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹、坂根弦太² (1.新潟大工、2.岡山理科大理)

10:45 〜 11:00

△ [13a-A35-7] Eu²⁺賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

〇長谷川拓哉¹、長谷川翔太¹、金善旭¹、上松和義¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

11:00 〜 11:15

[13a-A35-8] 結晶シリコン太陽電池のための広帯域アップコンバーター (II)

〇竹田康彦¹、水野真太郎¹、ルイテルホムナト¹、山中健一¹、谷俊彦¹ (1.豊田中研)

11:15 〜 11:30

[13a-A35-9] Er_xYb_yY_2-x-ySiO₅結晶の組成最適化と最大励起増感効果

近藤史哉¹、〇一色秀夫¹ (1.電通大院情報理工)

11:30 〜 11:45

▲ [13a-A35-10] Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF Investigated by Photoconduction

〇Bernard Gelloz¹、Kazuki Ichimura²、Eiichi Kondoh²、Lianhua Jin² (1.Nagoya Univ.、2.Yamanashi Univ.)

セッション情報

[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

[13a-A35-1] WASSR法による蛍光体の合成

[13a-A35-2] 集光炉を用いた蛍光体の溶融合成

[13a-A35-3] ZnGa₂O₄ホストの結晶性・酸化度とEu³⁺ドーパントの発光特性

[13a-A35-4] ハフニウム塩化物系シンチレータの開発とその現状

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce³⁺イオンの4f電子イオン化エネルギー

△ [13a-A35-6] 発光の有無から見たCe(Ⅲ)含有錯体の発光メカニズム

△ [13a-A35-7] Eu²⁺賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

[13a-A35-8] 結晶シリコン太陽電池のための広帯域アップコンバーター (II)

[13a-A35-9] Er_xYb_yY_2-x-ySiO₅結晶の組成最適化と最大励起増感効果

▲ [13a-A35-10] Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF Investigated by Photoconduction

認証

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[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

[13a-A35-1] WASSR法による蛍光体の合成

[13a-A35-2] 集光炉を用いた蛍光体の溶融合成

[13a-A35-3] ZnGa2O4ホストの結晶性・酸化度とEu3+ドーパントの発光特性

[13a-A35-4] ハフニウム塩化物系シンチレータの開発とその現状

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce3+イオンの4f電子イオン化エネルギー

△ [13a-A35-6] 発光の有無から見たCe(Ⅲ)含有錯体の発光メカニズム

△ [13a-A35-7] Eu2+賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

[13a-A35-8] 結晶シリコン太陽電池のための広帯域アップコンバーター (II)

[13a-A35-9] ErxYbyY2-x-ySiO5結晶の組成最適化と最大励起増感効果

▲ [13a-A35-10] Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF Investigated by Photoconduction

認証

[13a-A35-3] ZnGa₂O₄ホストの結晶性・酸化度とEu³⁺ドーパントの発光特性

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce³⁺イオンの4f電子イオン化エネルギー

△ [13a-A35-7] Eu²⁺賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

[13a-A35-9] Er_xYb_yY_2-x-ySiO₅結晶の組成最適化と最大励起増感効果