一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:30 〜 09:45
〇藤田 晃久1、小堀 裕己1、山崎 篤志1、谷口 年史2、清水 哲夫3 (1.甲南大理工、2.阪大院理、3.産総研ナノ材料)
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09:45 〜 10:00
〇山原 弘靖1、三橋 啓多1、村田 哲也1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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10:00 〜 10:15
〇片山 司1、濱嵜 容丞1、安井 伸太郎1、伊藤 満1 (1.東工大)
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10:15 〜 10:30
〇鈴木 雄喜1、片瀬 貴義2、太田 裕道2 (1.北大院情報、2.北大電子研)
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10:30 〜 10:45
〇小野里 尚記1、片瀬 貴義2、張 雨橋1、藤平 哲也3、フウ ビン3、幾原 雄一3、太田 裕道2 (1.北大院情報、2.北大電子研、3.東大総研)
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10:45 〜 11:00
〇片山 裕美子1、佐藤 洋平1、上野 和紀1 (1.東京大学)
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11:00 〜 11:15
〇小林 俊介1、大西 剛2、柴田 直哉3、幾原 雄一1,3、山本 剛久1,4 (1.JFCC、2.NIMS、3.東大総研、4.名大工)
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11:15 〜 11:30
〇丸山 敬裕1、近松 彰1、小野塚 智也1、山田 佳補1、長谷川 哲也1,2 (1.東大院理、2.KAST)
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11:30 〜 11:45
〇石丸 純也1、吉松 公平1、堀場 弘司2、組頭 広志2,3、大友 明1,3 (1.東工大 物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)
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11:45 〜 12:00
〇佐藤 友香1、米谷 真人2、椿 俊太郎1、鈴木 榮一1、和田 雄二1 (1.東工大院、2.東大先端研)
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