一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス
09:00 〜 09:15
〇(M2)櫻井 翔之1、星野 良介1、中村 俊博1、安達 定雄1 (1.群馬大院理工)
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09:15 〜 09:30
〇(M2)櫻井 翔之1、中村 俊博1、安達 定雄1 (1.群馬大院理工)
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09:30 〜 09:45
〇町田 憲一1、高濱 裕子1、半沢 弘昌1 (1.大阪大院工)
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09:45 〜 10:00
〇長谷川 拓哉1、金 善旭1、上松 和義1、戸田 健司1、佐藤 峰夫1 (1.新潟大)
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10:15 〜 10:30
〇(M2)山梨 遼太1、長谷川 拓哉1、金 善旭1、上松 和義1、戸田 健司1、佐藤 峰夫1、陳 登銘2 (1.新潟大、2.国立交通大学)
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10:30 〜 10:45
〇長谷川 拓哉1、山梨 遼太1、金 善旭1、上松 和義1、戸田 健司1、佐藤 峰夫1 (1.新潟大)
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10:45 〜 11:00
〇吉村 文孝1、山根 久典2 (1.三菱化学科技セ、2.東北大多元研)
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11:00 〜 11:15
〇武田 隆史1、舟橋 司朗1、解 栄軍1、広崎 尚登1 (1.物材機構)
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11:15 〜 11:30
〇Rong-Jun Xie1、Shuxing Li2、Yujin Cho1、Takashi Takeda1、Naoto Hirosaki1 (1.NIMS、2.SICCAS)
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11:30 〜 11:45
〇舟橋 司朗1、広崎 尚登1、武田 隆史1、解 栄軍1 (1.物材機構)
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