[13a-A21-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A21-3] アルミナ炭素熱還元法を利用したAlN単結晶成長に及ぼすグラファイト添加量および反応温度の影響

〇大塚 誠¹、藤原 圭吾¹、三宅 秀人²、福山 博之¹ (1.東北大多元研、2.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化物半導体、炭素熱還元法、バルク単結晶

当研究室では，アルミナ炭素熱還元法による安価なAlNバルク単結晶の作製プロセスについて研究している 。本手法では，アルミナの炭素還元により発生するAl系ガスをN₂と反応させるため，等温場でのAlN単結晶成長が期待される。本研究では，本研究では，アルミナ炭素熱還元法を利用したAlN単結晶成長に及ぼすグラファイト添加量および反応温度の影響を調査した結果について報告する。