[13a-A21-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A21-9] XAFS法を用いたGaN_1-xSb_x混晶半導体中のSb占有位置評価

〇宮嶋 孝夫¹、小森 大資¹、清木 良麻¹、伊奈 稔哲²、新田 清文²、鈴木 健太¹、竹内 哲也¹、宇留賀 朋哉²、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇¹ (1.名城大理工、2.高輝度光科学研)

キーワード：窒化物半導体、X線吸収微細構造、ガリウムアンチモン

GaN_1-xSb_xは、低抵抗のp型窒化物混晶半導体として期待される。しかしながら、Ga-Sbの原子間距離が、Ga-Nのものの1.36倍と長いことから、均一な高品質結晶を成長することは難しいと考えられる。そこで、MOCVD法で成長したGaN_1-xSb_x薄膜中のSb原子近傍の局所構造を大型放射光施設であるSPring-8のXAFS法を使って評価したところ、Sb添加により平均的な格子定数の増大は認められるものの、ほとんどのSb原子はウルツ鉱構造のV族サイトを置換していないことが分かった。