[13a-A23-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

[13a-A23-1] Si基板上c軸配向PMnN-PZTエピタキシャル急冷薄膜の面内ひずみの高温XRD解析

〇吉田 慎哉¹、田中 秀治¹ (1.東北大工)

キーワード：チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、圧電MEMS、キュリー温度

近年，我々は，スパッタ急冷法で成膜したSi基板上のc軸配向Pb(Mn,Nb)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃（PMnN-PZT）エピタキシャル薄膜のキュリー温度が，μmオーダーの膜厚にも関わらず，550~600℃であることを発見した。これは，バルクセラミクスと比較して150~200℃高い。また，比較的大きな圧電特性（e_31,f＝－14 C/m²）を示した。この現象を自在に利用できれば，巨大な圧電特性を持つにも関わらず，低キュリー温度であったために活用されなかった圧電材料の応用可能性を広げられる。本研究では，PMnN-PZTエピタキシャル薄膜，およびそのバルクセラミクスの格子定数の温度推移を，X線回折を用いて調査し，このキュリー温度の上昇現象のメカニズムについて調査した。