[13a-A25-1~11] 7.4 Buried interface sciences with quantum beam

[13a-A25-10] Interfacial Band Diagram Analysis of Titania nanosheet/SiO₂/Si by Surface-Charge Switched Electron Spectroscopy

〇Satoshi Toyoda¹, Katsutoshi Fukuda¹, Hidetaka Sugaya², Masafumi Morita¹, Nakata Akiyoshi¹, Uchimoto Yoshiharu¹, Matsubara Eiichiro¹ (1.Kyoto Univ., 2.Panasonic)

Keywords:Si semiconductor, X-ray photoelectron spectroscopy, Insulator/semiconductor interface

積層絶縁膜/半導体材料界面のバンドダイアグラムを調べるためにX線光電子分光(XPS)解析は古くから行われてきたが、誘電率の異なる物質間のチャージアップ問題を解消して正確な数値データを得ることは未だ難しい。我々は、表面電荷反転電子分光(SuCSES)法をにより、中和電子銃(FG)により絶縁体表面を意図的に負バイアス側にシフトさせたデータを取得することで、積層絶縁膜/半導体材料界面電荷の均衡状態を定量的に評価する方法を見出した。