[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-2] ピエゾ素子上に転写したV₂O₃薄膜の歪み誘起抵抗変調

〇坂井 穣¹、ネグレスク ベアトリス¹、バヴァンコッフ マキシム¹、リムレット パトリス¹、ヴォルフマン ジェローム¹、舟窪 浩² (1.トゥール大GREMAN、2.東工大物院)

キーワード：V2O3、歪み誘起抵抗変化、ピエゾ効果

マイカ基板上に成長させたc軸配向V₂O₃薄膜を、スコッチテープにより剥離してピエゾ素子の上に転写し、ピエゾ効果によってV₂O₃薄膜の抵抗値を変調させた。正のピエゾ電圧印加によりV₂O₃抵抗値が増大する予想通りの振舞いが見られた。ピエゾ層が面内に伸張したことで膜のc/aが低下したことを示唆する。また、ピエゾ電圧がゼロでの膜抵抗値が電圧印加履歴に応じて不揮発に変化するメモリ効果が観測された。