[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-5] VO₂薄膜への局所的な不純物ドープによる独立フォノンの形成

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：金属絶縁体転移、ラマン分光

典型的な金属絶縁体転移材料であるVO₂において、局所的に不純物をドープすると、周辺領域のフォノンから分離した独立なフォノンモードを形成することが分かった。この結果は、金属絶縁体転移材料を用いたナノデバイスにおいて、異なる領域間の界面を介したフォノン結合は比較的弱いことを示唆している。