[13a-A31-1~11] 6.3 Oxide electronics

[13a-A31-7] Relationship between Microstructure and Conductance Quantization in Resistive Switching in TaO_x Thin Films.

〇Tadashi Shiota¹, Tomoya Kubo¹, Akio Nishiyama¹, Osamu Sakuria¹, Kazuo Shinozaki¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Resistive Switching, Conductance Quantization

本研究では，TaO_x薄膜をPt下部電極上にスパッタリング製膜後，400℃〜800℃で熱処理し，Ag又はCu上部電極を用いて抵抗スイッチングとそれに伴う量子化伝導を観測し，TaO_x薄膜の微構造と抵抗スイッチング時に生じる伝導度の量子化の関係について検討した。