[13a-A31-1~11] 6.3 Oxide electronics

[13a-A31-8] Investigation on controllability of oxygen vacancies in BaTiO₃ thin film for ReRAM by N₂ atmosphere annealing

〇Sou Maejima¹, Toshiyuki Sugie¹, Kaoru Yamashita¹, Minoru Noda¹ (1.Kyoto Inst. Tech)

Keywords:BaTiO3, ReRAM, oxygen vacancy

抵抗変化型メモリ(ReRAM)の材料候補の一つとして検討されているBaTiO₃薄膜において前回の研究では有機金属化合物分解法で層毎の焼成と焼成雰囲気によって薄膜内の酸素欠陥の増減に影響を与えたことが示唆された。そこで今回の研究では作製工程における膜厚の制御を行ない、薄膜内部の酸素欠陥を制御し、電極面積が抵抗ヒステリシス特性に与える影響、面積比と界面型動作の関係について検討した。