[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-9] 多結晶遷移金属酸化物における抵抗変化機構の理論的検証

〇(D)森山 拓洋¹、山崎 隆浩²、肥田 聡太¹、大野 隆央²、岸田 悟^1,3、木下 健太郎^1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)

キーワード：ReRAM、第一原理計算、粒界