2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

篠崎 健二(産総研)

09:30 〜 09:45

[13a-A35-3] ZnGa2O4ホストの結晶性・酸化度とEu3+ドーパントの発光特性

赤沢 方省1、篠島 弘幸2 (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード:ZnO、Eu3+、PL

ZnGa2O4はEu3+イオンをドープするための安定なホスト結晶であるが、プロセス条件によってEu3+の発光強度は様々に変化する。本研究においては、O2ガス及びH2Oガスによってスパッタ成膜した場合について、膜の酸化度・結晶性と発光強度の関係を捉え、強い発光を実現するための要因を明らかにした。