[13a-A35-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[13a-A35-5] Ionization energy for the 4f electron of a Ce³⁺ ion in GAGG detemined using synchrotron and laser radiation

〇Mamoru Kitaura¹, Junpei Azuma², Kei Hamada³, Manage Ishizaki¹, Akimasa Ohnishi¹, Kazuhiro Hara⁴ (1.Yamagata Univ., 2.Saga UNIV. SLC, 3.Tohoku Univ. NICHe, 4.Shizuoka Univ. RIE)

Keywords:Rare earth ions, Synchrotron radiation, Surface photovoltage effect

熱や光による局在電子のイオン化は非発光過程と密接に関係するため、そのイオン化エネルギーを正確に決定することは発光素子の開発において大切である。本研究では、表面光起電力 (SPV) 効果を利用して、ガーネットにドープされた三価セリウムイオンの4f電子に対するイオン化エネルギーを決定した。実験は九州シンクロトロン光研究センターのビームライオンBL13で行った。レーザー光を薄膜試料に照射して光キャリアを生成し、紫外光電子分光 (UPS) スペクトルを測定してレーザー光照射に伴う価電子帯および内殻準位の変化を調べた。講演では、ガーネット蛍光体の一つであるGd3Al2Ga3O12:Ce (GAGG:Ce) に対する結果の一例を報告する。