The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[13a-A35-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Sep 13, 2016 9:00 AM - 11:45 AM A35 (303-304)

Kenji Shinozaki(AIST)

10:45 AM - 11:00 AM

[13a-A35-7] Crystal Growth of the Eu2+-activated Single-crystal Phosphor and Determination of the Doping Site of Luminescent Center

Takuya Hasegawa1, Shota Hasegawa1, Sun-woog Kim1, Kazuyoshi Uematsu1, Kenji Toda1, Mineo Sato1 (1.Niigata Univ.)

Keywords:Phosphor

白色LED用蛍光体に用いられるEu2+やCe3+は還元処理が必要であるが、還元雰囲気での単結晶育成には十分な還元ガスの供給と容器として用いられる白金るつぼとの相性の悪さから、発光イオンを含めた結晶構造の解析は一般的には検討されていない。この問題点を解決するべく、これまでに当研究室では、1400°C以上の高温、強還元雰囲気下で安定して存在可能なSiOガスをSi供給源として、シードとなるEu2+を含むアルカリ土類金属炭酸塩を反応させる”気相-固相ハイブリッド合成法”と名付けた新規単結晶育成手法を開発し、結晶構造解析により(Ba,Sr)2SiO4格子中のEuイオンを正確に特定することに成功した。