[13a-B11-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[13a-B11-5] Cast-capping法によるペロブスカイト系半導体EL素子の開発

〇佐々木 史雄¹、Nguyen Van-Cao²、柳 久雄² (1.産総研電子光技術、2.奈良先端大物質)

キーワード：有機半導体レーザー、ペロブスカイト系材料、有機EL素子

溶液プロセスでの成膜が可能なペロブスカイト系半導体中での光励起でのレーザー発振について報告してきた。試料作製にはCH₃NH₃BrまたはCH(NH₂)₂BrとPbBr₂を1:1のモル比でDMFに溶かして使用した。その溶液をITO基板上にキャストした後に別の基板でキャップして乾燥させる手法(cast-capping法)で良好な結晶成長ができ、光励起での発振が得られ、光励起に対する安定性も高い。今回はこの手法で作製した単結晶性膜のEL特性について報告する。