[13a-B9-1~11] 8.4 Plasma etching

[13a-B9-1] Electronic properties and dissociation channels of HFC-1234yf

〇Toshio Hayashi¹, Makoto Sekine¹, Kenji Ishikawa¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, Etching gas for Oxide Film, Computational Chemistry

温暖化係数の低いHFC-1234yf(CF₃CF=CH₂)、HFC-1234ze(CF₃CH=CHF)が、従来用いられてきたR410A(CH₂F₂+C₂HF₅)に代わる、冷却媒体ガスとして用いられるようになってきた。これらのガスは多量に製造されるため酸化膜エッチングガスとして用いることができるならばランニングコストを低く抑えることができる可能性を持っている。そのため、これらのガスが酸化膜用エッチングガスとして適しているかどうかを、計算化学を用いて、その電子物性と解離について調べた。ここでは、HFC-1234yfについて報告し、HFC-1234zeについては別の機会に報告する。