[13a-C31-1~8] 3.7 レーザープロセシング

[13a-C31-7] Siのレーザー加工過程の振動数依存性

〇乙部 智仁¹ (1.量研機構)

キーワード：第一原理シミュレーション、中赤外レーザー光

多階層第一原理シミュレーション手法により、中赤外から近赤外領域の10fs超短パルスレーザーによるシリコン表面の非熱加工過程解明に向けたシミュレーションを行った。その結果、低振動数になるほど多光子過程であるにもかかわらず、より深くからのアブレーションが可能となることが分かった。これは長波長であるほど侵入長が長く、表面に生成された薄いプラズマ領域より深い領域の電子を励起できることに起因すると思われる。