[13a-D62-1~11] 6.4 薄膜新材料

[13a-D62-11] ルチル型ReO₂エピタキシャル薄膜の合成及び特性評価

〇柴田 峻佑¹、廣瀬 靖^1,2、重松 圭²、中尾 祥一郎²、近松 彰¹、池永 英司³、長谷川 哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST、3.SPring-8)

キーワード：新規薄膜材料、ルチル型構造

本研究では、PLD法によるルチル型ReO₂エピタキシャル薄膜の低温での成長方法を開発し、合成した薄膜の結晶構造及び電気輸送特性を評価したので報告する。ターゲットにはRe金属を使用し、酸化剤としてN₂Oを用いることで、TiO₂(001)基板上にReO₂をエピタキシャル成長させることに成功した。XRD測定の結果、膜厚の減少に伴い、歪んだルチル型構造(単斜晶)からルチル型構造(正方晶)へと相転移することを確認した。また、Reカチオンの価数や、電気輸送特性についても評価を行った。