[13p-A21-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A21-15] Control of AlN/sapphire interfaces by elementary source vapor phase epitaxy (EVPE)

〇Katsuhiro Kishimoto¹, Wu PeiTsen¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:crystal growth

AlとN₂を原料とする新たなAlN基板の作製法であるEVPE法を用いてAlNを作製したときの，サファイア種結晶とAlNの界面構造に注目した．
原料供給を成長温度になってから行うと，界面に(物理的に弱い)ウィスカーが形成されることで自然剥離現象がしばしば起こる一方，昇温開始時から行うとウィスカーが形成されなかった．つまり原料供給のタイミング制御により，自発分離現象を制御できることがわかった．