[13p-A22-1~5] 酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く

[13p-A22-2] 半導体テクノロジーの進展に果たしたHigh-k酸化物の役割

〇福島 伸¹ (1.東芝研開セ)

キーワード：半導体、高誘電率絶縁体、酸化物エレクトロニクス

半導体デバイス微細化を追求するため、メモリーキャパシタ並びにゲート絶縁膜へのHigh-k酸化物の導入が精力的に検討された。既存プロセスとのマッチングや界面制御など多くの課題に、いかに向きあい、どのように解決をはかってきたかを議論する。 これらの研究開発とその成果は、酸化物エレクトロニクスの今後の発展の礎となることが期待される一方、半導体デバイスの高付加価値化、半導体事業の発展がスケーリング追求だけでは達成できなくなってきた現状に鑑み、酸化物エレクトロニクスに期待される高機能化、付加価値を議論したい。