[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[13p-A23-4] パターン化SrTiO₃基板上へのBiFeO₃薄膜の作製

〇瀬戸 翔太¹、中嶋 誠二¹、藤沢 浩訓¹、清水 勝¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：強誘電体、ドメインウォール、抵抗スイッチング

強誘電体の帯電ドメインウォールは抵抗スイッチング特性を持つことが知られており、任意の位置に任意の分極ベクトルのなす角で形成することで抵抗変化メモリへの応用が考えられる。我々は菱面体晶の強誘電体BiFeO₃を、電子線リソグラフィとイオンビームエッチングにより表面に斜面パターンを形成したSrTiO₃基板上に作製することで任意位置への帯電ドメインウォールの形成を試みたので報告する。